FER-ovi istraživači razvili najbrži čisti silicijski bipolarni tranzistor na svijetu

Istraživači FER-ovog Laboratorija za mikro i nano elektroniku (MiNEL) razvili su najbrži čisti silicijski bipolarni tranzistor na svijetu, baziran na novom konceptu bipolarnih tranzistora, objavljeno je.

Najnoviji trendovi u razvoju poluvodiča (tranzistora) odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje što jednostavnijeg proizvodnog procesa kako bi im cijena bila što niža. Novi tip tranzistora koji su razvili FER-ovi istraživači laboratorija MiNEL, pod vodstvom prof. dr. sc. Tomislava Suligoja, posjeduje sve navedene kvalitete.

U HRT-ovoj emisiji Prometej spomenuta su i ostala istraživanja koja se provode u spomenutom laboratoriju, u okviru projekta Nexgensemi, poput naprednih poluvodičkih fotodetektora za eksperimente u CERN-u, teorijskih modeliranja galij-nitridnih tranzistora i ostalih naprednih poluvodičkih struktura te projektiranja radiokomunikacijskih integriranih sklopova.